在真空沉積設備中，質量流量控制器用于供應氣體。反應濺射是一種濺射顆粒與引入濺射腔體的氣體發生反應的沉積技術。為此，高能氬轟擊目標，通常是鋁等金屬板，釋放出濺射金屬顆粒的蒸汽。它們與所供反應氣體（通常是氧氣或氮氣）發生反應，使極薄的陶瓷層沉積在玻璃、硅片、金屬或聚合物上。反應濺射用于涂覆防反射、硬化、耐磨、防腐等涂層。質量流量控制器在氣體供應中起著高度相關的作用。
在許多分析應用中，一個常見的因素是需要微小的穩定氣流（流量范圍：1-1000 mln/min），因為氣流及其變化在測量中是直接可見的，氣流穩定很重要。在數據表上，需要短期重復性和控制穩定性，以及多年使用的長期穩定性。
工程配套：在實驗室氣體工程中，做到安全性高且能實現集中分配供氣的系統完成從氣源向儀 器的供氣需要搭配氣體質量流量計或氣體質量流量控制器。
磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。青島芯笙S500系列氣體質量流量控制器可廣泛應用于真空鍍膜行業領域，產品具有獨特的氣體流道設計，可實現靈活的分流比配置，可實現氣體種類切換及滿量程切換功能，最小控制精度為0.1sccm，配備工業級顯示屏，方便客戶現場調試和配置。
熱氧化爐、擴散爐，用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氬氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設備。